Band-Edge Work Function Obtained by Plasma Doping TiN Metal Gate for nMOS Device Application
文献类型：期刊论文
| 作者 | Shan Tang; Tao GL(陶桂龙); Li JF(李俊峰) ; Zhu HL(朱慧珑); Wang XL(王晓磊); Xiang JJ(项金娟); Wang Y(王垚); Zhao C(赵超); Liu JB(刘金彪); Xu QX(徐秋霞)
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| 刊名 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE
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| 出版日期 | 2018-04-24 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19203]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Shan Tang,Tao GL,Li JF,et al. Band-Edge Work Function Obtained by Plasma Doping TiN Metal Gate for nMOS Device Application[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE,2018. |
| APA | Shan Tang.,Tao GL.,Li JF.,Zhu HL.,Wang XL.,...&Xu GB.(2018).Band-Edge Work Function Obtained by Plasma Doping TiN Metal Gate for nMOS Device Application.IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE. |
| MLA | Shan Tang,et al."Band-Edge Work Function Obtained by Plasma Doping TiN Metal Gate for nMOS Device Application".IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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