Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ye TC(叶甜春)2 ; Wang WW(王文武)2; Zhou LX(周丽星)1; Wang XL(王晓磊)2; Xiang JJ(项金娟)2; Zhao C(赵超)2
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| 刊名 | 49th IEEE Semiconductor
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| 出版日期 | 2018-12-05 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19214]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 1.中国科学院大学 2.中国科学院微电子研究所; |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ye TC,Wang WW,Zhou LX,et al. Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface[J]. 49th IEEE Semiconductor,2018. |
| APA | Ye TC,Wang WW,Zhou LX,Wang XL,Xiang JJ,&Zhao C.(2018).Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface.49th IEEE Semiconductor. |
| MLA | Ye TC,et al."Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface".49th IEEE Semiconductor (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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