IGBT载流子增强技术发展概述
文献类型：期刊论文
| 作者 | 卢烁今; 田晓丽; 谭骥; 杨飞; 张广银; 张须坤; 沈千行 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2016-10-03 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 英文摘要 | 发射极载流子增强技术作为绝缘栅双极型晶体管 ( IGBT) 器件所特有的技术手段， 是进一步改善 IGBT 导通饱和压降和关断损耗折中性能的关键所在。在经历了 20 多年的发展之 后，发射极载流子浓度增强的技术无论从结构和性能上都得到了巨大的提升。概述了 IGBT 载流 子增强技术的发展过程，针对 IGBT 中的载流子分布，分析了载流子增强技术的物理机制，介绍 了传统载流子增强技术所采用的器件结构及实现方法，包括注入增强型绝缘栅双极型晶体管 ( IEGT) ，载流子存储层结构的沟槽型双极型晶体管 ( CSTBT) ，高导电率 IGBT ( HiGT) ，平面 增强结构 IGBT，以及最近几年较新型的介质阻挡层 IGBT，局部窄台面 IGBT，p 型埋层 CSTBT 等。着重讨论了每种器件的结构特点以及性能上的改善。载流子增强技术将是新一代 IGBT 器件 设计的一个主要技术手段。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16261]  |
| 专题 | 微电子研究所_新技术开发部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢烁今,田晓丽,谭骥,等. IGBT载流子增强技术发展概述[J]. 半导体技术,2016. |
| APA | 卢烁今.,田晓丽.,谭骥.,杨飞.,张广银.,...&沈千行.(2016).IGBT载流子增强技术发展概述.半导体技术. |
| MLA | 卢烁今,et al."IGBT载流子增强技术发展概述".半导体技术 (2016). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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