逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 卢烁今; 田晓丽; 张须坤; 沈千行; 张广银 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2016-10-03 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 英文摘要 | 逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件，它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式，具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优点。自从被提出以来，RB-IGBT在结构设计和加工工艺方面不断得到改进，其性能不断提升，使得RB-IGBT拥有更为广阔的应用前景。综述了RB-IGBT的发展历程和双向耐压原理，重点阐述了不断改进的RB-IGBT结构和国际上采用的加工工艺。针对热预算、工艺难度和工艺成本等，分析了不同工艺技术的优缺点，重点探讨了工艺的实现方式。对RB-IGBT的发展趋势进行了分析和预测，认为混合隔离技术和漂移区的改进将是下一代RB-IGBT的发展方向。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16262]  |
| 专题 | 微电子研究所_新技术开发部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢烁今,田晓丽,张须坤,等. 逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展[J]. 半导体技术,2016. |
| APA | 卢烁今,田晓丽,张须坤,沈千行,&张广银.(2016).逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展.半导体技术. |
| MLA | 卢烁今,et al."逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展".半导体技术 (2016). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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