IGBT感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 沈千行; 张广银; 杨飞; 腾渊; 田晓丽; 卢烁今; 谭骥 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2016-08-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 英文摘要 | 绝缘栅双极型晶体管IGBT多用于感性负载下的电力电子线路中。这导致了在器件关断的过程中，集电极电压上升阶段时集电极电流仍然保持在额定电流值，从而造成大量的能量损耗。集电极电压的上升过程可以看做是栅极电流对集电极与栅极之间的电容，即米勒电容，充电的过程。本文提出一种解析模型通过计算米勒电容值随时间的变化来预测绝缘栅双极型晶体管在关断过程中集电极电压值的变化。在对米勒电容的计算上，不仅考虑了电容值与其端电压之间的依赖关系，同时也考虑到关断过程中耗尽区存在的大量载流子对电容值的影响，使得模型更加准确。最后，运用数值计算仿真软件对绝缘栅双极型晶体管的关断过程进行了模拟，用以对本文提出的模型进行验证。仿真结果与模型计算结果的对比显示出良好的一致性。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16263]  |
| 专题 | 微电子研究所_新技术开发部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈千行,张广银,杨飞,等. IGBT感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究[J]. 物理学报,2016. |
| APA | 沈千行.,张广银.,杨飞.,腾渊.,田晓丽.,...&谭骥.(2016).IGBT感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究.物理学报. |
| MLA | 沈千行,et al."IGBT感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究".物理学报 (2016). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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