Impact of Continuing Scaling on the Device Performance of 3D Cylindrical Junction-less Charge Trapping Memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ye TC(叶甜春) ; Li CL(李春龙); Tang ZY(唐兆云); Xu Q(徐强); Hong PZ(洪培真); Jiang DD(姜丹丹); Huo ZL(霍宗亮); Jin L(靳磊); Li XK(李新开)
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| 刊名 | Journal of Semiconductors
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| 出版日期 | 2015-09-24 |
| 公开日期 | 2016-06-03 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15204]  |
| 专题 | 微电子研究所_存储器研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ye TC,Li CL,Tang ZY,et al. Impact of Continuing Scaling on the Device Performance of 3D Cylindrical Junction-less Charge Trapping Memory[J]. Journal of Semiconductors,2015. |
| APA | Ye TC.,Li CL.,Tang ZY.,Xu Q.,Hong PZ.,...&Li XK.(2015).Impact of Continuing Scaling on the Device Performance of 3D Cylindrical Junction-less Charge Trapping Memory.Journal of Semiconductors. |
| MLA | Ye TC,et al."Impact of Continuing Scaling on the Device Performance of 3D Cylindrical Junction-less Charge Trapping Memory".Journal of Semiconductors (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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