IGBT集电极结构
文献类型：专利
| 作者 | 卢烁今; 徐承福; 吴凯; 朱阳军; 陈宏 |
| 发表日期 | 2012-11-28 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种IGBT集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的间隔分布N+型区域层，以及在N-型基区的背面，上述间隔分布N+型区域层未覆盖区域形成的间隔分布P+型集电极层。所述间隔分布N+型区域层是由五价元素在N-型基区的背面间隔注入后，并且跟随着经历了N-型基区的正面的所有热过程后形成。或者所述间隔分布N+型区域层是通过在N-型基区的背面外延生长一层N+型层，然后通过间隔刻蚀后，并且跟随着经历了N-型基区的正面的所有热过程后得到。本发明用于形成IGBT的集电极结构。 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/311049/15449]  |
| 专题 | 微电子研究所_成果转化部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢烁今,徐承福,吴凯,等. IGBT集电极结构. 2012-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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