逆导IGBT器件结构及制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 邱颖斌; 吴凯; 陈宏; 卢烁今; 朱阳军; 徐承福 |
| 发表日期 | 2012-09-28 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种逆导IGBT器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设第二导电类型基区，第二导电类型基区上部设第一导电类型发射区；第二导电类型基区通过栅氧化层及位于栅氧化层下方的第一导电类型漂移区隔离；栅氧化层与两侧第二导电类型基区接触，并与第二导电类型基区内相邻的第一导电类型发射区接触；在栅氧化层上设多晶栅，在多晶栅上设栅电极；在第二导电类型基区上设发射极，发射极与第二导电类型基区和第二导电类型基区内的第一导电类型发射区接触；在第一导电类型漂移区的底部设第二导电类型集电区，在第一导电类型漂移区的背面设第二导电类型集电金属区。本发明避免了背面光刻工艺，降低了流片过程碎片和划伤的几率。 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/311049/15455]  |
| 专题 | 微电子研究所_成果转化部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邱颖斌,吴凯,陈宏,等. 逆导IGBT器件结构及制造方法. 2012-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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