Fast pore etching on high resistivity n-type silicon via photoelectrochemistry
文献类型：期刊论文
| 作者 | Bao, XQ ; Ge, DH ; Zhang, S ; Li, JP ; Zhou, P ; Jiao, JW ; Wang, YL |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS B
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 18期号:2页码:664-670 |
| 关键词 | P-TYPE SILICON MACROPORE FORMATION POROUS SILICON FORMATION MECHANISMS ARRAY FORMATION MORPHOLOGY PHYSICS DENSITY LIMITS SI |
| ISSN号 | 1674-1056 |
| 通讯作者 | Jiao, JW, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat, Natl Key Labs Microsyst Technol, State Key Labs Transducer Technol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2011-12-17 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/38487]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统技术_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Bao, XQ,Ge, DH,Zhang, S,et al. Fast pore etching on high resistivity n-type silicon via photoelectrochemistry[J]. CHINESE PHYSICS B,2009,18(2):664-670. |
| APA | Bao, XQ.,Ge, DH.,Zhang, S.,Li, JP.,Zhou, P.,...&Wang, YL.(2009).Fast pore etching on high resistivity n-type silicon via photoelectrochemistry.CHINESE PHYSICS B,18(2),664-670. |
| MLA | Bao, XQ,et al."Fast pore etching on high resistivity n-type silicon via photoelectrochemistry".CHINESE PHYSICS B 18.2(2009):664-670. |
入库方式： OAI收割
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