Observation of a diverse deviation from macropore-formation theory in silicon electrochemistry
文献类型：期刊论文
| 作者 | Bao, XQ ; Ge, DH ; Jiao, JW |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS B
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 17期号:8页码:3130-3137 |
| 关键词 | N-TYPE SILICON P-TYPE SILICON POROUS SILICON PORE FORMATION FORMATION MECHANISMS ANODIC-DISSOLUTION STABILITY ANALYSIS ARRAY FORMATION MORPHOLOGY PHYSICS |
| ISSN号 | 1674-1056 |
| 通讯作者 | Jiao, JW, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat, Natl Key Labs Microsyst Technol, State Key Lab Transducer Technol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2011-12-17 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/38525]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统技术_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Bao, XQ,Ge, DH,Jiao, JW. Observation of a diverse deviation from macropore-formation theory in silicon electrochemistry[J]. CHINESE PHYSICS B,2008,17(8):3130-3137. |
| APA | Bao, XQ,Ge, DH,&Jiao, JW.(2008).Observation of a diverse deviation from macropore-formation theory in silicon electrochemistry.CHINESE PHYSICS B,17(8),3130-3137. |
| MLA | Bao, XQ,et al."Observation of a diverse deviation from macropore-formation theory in silicon electrochemistry".CHINESE PHYSICS B 17.8(2008):3130-3137. |
入库方式： OAI收割
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