Rotational driven RF variable capacitors with post-CMOS processes
文献类型：期刊论文
| 作者 | Gu, L ; Li, XX |
| 刊名 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:2页码:195-197 |
| 关键词 | LARGE TUNING RANGE MEMS |
| ISSN号 | 0741-3106 |
| 通讯作者 | Gu, L, Chinese Acad Sci, State Key Lab Transducer Technol, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Engineering, Electrical & Electronic |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2011-12-17 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/38597]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统技术_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Gu, L,Li, XX. Rotational driven RF variable capacitors with post-CMOS processes[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2008,29(2):195-197. |
| APA | Gu, L,&Li, XX.(2008).Rotational driven RF variable capacitors with post-CMOS processes.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,29(2),195-197. |
| MLA | Gu, L,et al."Rotational driven RF variable capacitors with post-CMOS processes".IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 29.2(2008):195-197. |
入库方式： OAI收割
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