One-dimensional mesopore-array formation on low doped N-type silicon
文献类型：期刊论文
| 作者 | Bao, XQ ; Jiao, JW ; Wang, YL ; Zhang, Y ; Ge, DH ; Ha, KW ; Choi, H |
| 刊名 | ELECTROCHEMISTRY COMMUNICATIONS
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 9期号:7页码:1491-1496 |
| 关键词 | POROUS SILICON FORMATION MECHANISM MACROPORE FORMATION PORE FORMATION ANODIC-DISSOLUTION OPTICAL-PROPERTIES MORPHOLOGY SI MICROSTRUCTURE PHYSICS |
| ISSN号 | 1388-2481 |
| 通讯作者 | Bao, XQ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat, Shanghai 200031, Peoples R China |
| 学科主题 | Electrochemistry |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2011-12-17 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/38644]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统技术_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Bao, XQ,Jiao, JW,Wang, YL,et al. One-dimensional mesopore-array formation on low doped N-type silicon[J]. ELECTROCHEMISTRY COMMUNICATIONS,2007,9(7):1491-1496. |
| APA | Bao, XQ.,Jiao, JW.,Wang, YL.,Zhang, Y.,Ge, DH.,...&Choi, H.(2007).One-dimensional mesopore-array formation on low doped N-type silicon.ELECTROCHEMISTRY COMMUNICATIONS,9(7),1491-1496. |
| MLA | Bao, XQ,et al."One-dimensional mesopore-array formation on low doped N-type silicon".ELECTROCHEMISTRY COMMUNICATIONS 9.7(2007):1491-1496. |
入库方式： OAI收割
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