基于SWCNT制造的SWCNT-FET介电泳装配研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 田孝军 ; 董再励
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| 刊名 | 仪器仪表学报
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 31期号:S2页码:88-91 |
| 关键词 | SWCNT 装配 SWCNT-FET 介电泳 AFM |
| ISSN号 | 0254-3095 |
| 其他题名 | Study on assembly of carbon nanotube field effect transistor using dep |
| 产权排序 | 1 |
| 中文摘要 | 针对SWCNT-FET制造过程中面临的SWCNT装配问题,采用介电泳技术实现对SWCNT在微电极上的有效装配。对SWCNT在非均匀电场中所受到的介电泳力进行了相关理论分析,利用多物理场耦合软件模拟了介电泳驱动电场,并做了大量装配实验,获得了高效装配SWCNT所需的实验参数。通过AFM扫描观测及场效应特性测试表明,这种方法能够实现SWCNT的有效装配,同时也为其它一维纳米材料纳电子器件的装配制造提供了有效方法。 |
| 资助信息 | 国家自然科学基金重点项目(60635040);“中国科学院、国家外国专家局创新团队国际合作伙伴计划”资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-05-29 |
| 源URL | [http://ir.sia.ac.cn/handle/173321/7188]  |
| 专题 | 沈阳自动化研究所_机器人学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田孝军,董再励. 基于SWCNT制造的SWCNT-FET介电泳装配研究[J]. 仪器仪表学报,2010,31(S2):88-91. |
| APA | 田孝军,&董再励.(2010).基于SWCNT制造的SWCNT-FET介电泳装配研究.仪器仪表学报,31(S2),88-91. |
| MLA | 田孝军,et al."基于SWCNT制造的SWCNT-FET介电泳装配研究".仪器仪表学报 31.S2(2010):88-91. |
入库方式： OAI收割
来源：沈阳自动化研究所
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