Simulation of electrical properties of InxAl1- XN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure
文献类型：期刊论文
| 作者 | Bi, Yang ; Wang, Xiaoliang ; Xiao, Hongling ; Wang, Cuimei ; Yang, Cuibai ; Peng, Enchao ; Lin, Defeng ; Feng, Chun ; Jiang, Lijuan, |
| 刊名 | journal of semiconductors
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 32期号:8页码:83003 |
| 关键词 | Aluminum Electron mobility Gallium nitride High electron mobility transistors Indium Poisson equation Polarization Two dimensional electron gas |
| ISSN号 | 16744926 |
| 通讯作者 | bi, y.(ybi@semi.ac.cn) |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-06-14 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23044]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Bi, Yang,Wang, Xiaoliang,Xiao, Hongling,et al. Simulation of electrical properties of InxAl1- XN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure[J]. journal of semiconductors,2011,32(8):83003. |
| APA | Bi, Yang.,Wang, Xiaoliang.,Xiao, Hongling.,Wang, Cuimei.,Yang, Cuibai.,...&Jiang, Lijuan,.(2011).Simulation of electrical properties of InxAl1- XN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure.journal of semiconductors,32(8),83003. |
| MLA | Bi, Yang,et al."Simulation of electrical properties of InxAl1- XN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure".journal of semiconductors 32.8(2011):83003. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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