铜表面化学气相沉积石墨烯的研究进展:生长行为与控制制备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 董再励 ; 刘连庆
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| 刊名 | 科学通报
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 57期号:23页码:2158-2163 |
| 关键词 | 石墨烯 控制生长 化学气相沉积 铜基体 |
| ISSN号 | 0023-074X |
| 产权排序 | 1 |
| 中文摘要 | 以铜作为基体的化学气相沉积法(CVD)是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法,具有产物质量高、层数均一等优点,已成为制备大面积、单层石墨烯的主要方法.本文围绕铜表面CVD控制生长石墨烯,结合对石墨烯的结构和生长行为的初步认识,介绍了质量提高、层数控制以及无转移生长等控制制备方面的最新研究进展,并展望了该方法制备石墨烯的可能发展方向,包括大尺寸石墨烯单晶以及不同堆垛方式的双层石墨烯的控制生长等. |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金青年科学基金(51102241); 机器人学国家重点实验室开放课题(RLO201012)资助 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:4713051 |
| 公开日期 | 2012-10-24 |
| 源URL | [http://ir.sia.ac.cn/handle/173321/10009]  |
| 专题 | 沈阳自动化研究所_机器人学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董再励,刘连庆. 铜表面化学气相沉积石墨烯的研究进展:生长行为与控制制备[J]. 科学通报,2012,57(23):2158-2163. |
| APA | 董再励,&刘连庆.(2012).铜表面化学气相沉积石墨烯的研究进展:生长行为与控制制备.科学通报,57(23),2158-2163. |
| MLA | 董再励,et al."铜表面化学气相沉积石墨烯的研究进展:生长行为与控制制备".科学通报 57.23(2012):2158-2163. |
入库方式： OAI收割
来源：沈阳自动化研究所
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