不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 卢健; 余学峰 ; 李明; 张乐情; 崔江维; 郑齐文; 胥佳灵
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2012 |
| 期号 | 8页码:601-605 |
| 关键词 | 静态随机存储器 总剂量效应 不同偏置条件 辐射损伤 印记现象 |
| 中文摘要 | 通过对CMOS SRAM器件在7种不同的偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射总剂量效应的研究,获得了不同偏置条件下SRAM器件功耗电流和功能出错数随累积剂量的响应关系。实验结果表明偏置条件对SRAM器件辐射损伤情况有较大影响,相对5种静态偏置,动态读写偏置所受辐射损伤较不敏感,其功能失效阈值也较大;SRAM总剂量效应存在印记现象,辐照时器件存储状态对辐照损伤有一定影响。 |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1357]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院研究生院；新疆大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢健,余学峰,李明,等. 不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应[J]. 核技术,2012(8):601-605. |
| APA | 卢健.,余学峰.,李明.,张乐情.,崔江维.,...&胥佳灵.(2012).不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应.核技术(8),601-605. |
| MLA | 卢健,et al."不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应".核技术 .8(2012):601-605. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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