静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高博; 余学峰 ; 任迪远; 李豫东; 崔江维; 李茂顺; 李明; 王义元
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 60期号:3页码:442-447 |
| 关键词 | 60Coγ 总剂量辐射损伤效应 SRAM型FPGA CMOS单元 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 其他题名 | research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array |
| 中文摘要 | 本文从FPGA器件内部最基本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究AlteraSRAM型FPGA器件~(60)Coγ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应.实验结果表明:由于场氧漏电和结构漏电的影响,随着累积剂量的增加输出波形发生畸变,峰峰值变为原来的十分之一左右,但输出波形还有相对的高低电平;同时,输出高电平不能保持原有的状态,迅速地向低电平转换,并且转换速度随着累积剂量的增加而加快,输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄,输出波形的上升时间、下降时间和延迟时间随累积剂量的变化很小. |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1530]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高博,余学峰,任迪远,等. 静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究[J]. 物理学报,2011,60(3):442-447. |
| APA | 高博.,余学峰.,任迪远.,李豫东.,崔江维.,...&王义元.(2011).静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究.物理学报,60(3),442-447. |
| MLA | 高博,et al."静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究".物理学报 60.3(2011):442-447. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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