不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李茂顺; 余学峰 ; 任迪远; 郭旗; 李豫东; 高博; 崔江维; 兰博; 费武雄; 陈睿
|
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 41期号:1页码:128-132 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 关键词 | 静态随机存取存储器 总剂量辐照 偏置条件 |
| 其他题名 | total dose irradiation effects of cmos sram under different bias conditions |
| 中文摘要 | 对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感器件,辐照偏置条件对器件的电参数退化和功能失效有较大影响。在三种偏置条件中,静态加电为最劣偏置,其次是工作状态,浮空状态时器件的辐射损伤最小。在工作状态和静态加电两种偏置条件下,静态功耗电流的退化与器件功能失效密切相关,可作为器件功能失效的预警量。 |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1531]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李茂顺,余学峰,任迪远,等. 不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应[J]. 微电子学,2011,41(1):128-132. |
| APA | 李茂顺.,余学峰.,任迪远.,郭旗.,李豫东.,...&赵云.(2011).不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应.微电子学,41(1),128-132. |
| MLA | 李茂顺,et al."不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应".微电子学 41.1(2011):128-132. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。