国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 崔江维; 余学峰 ; 刘刚; 李茂顺; 兰博; 赵云; 费武雄; 陈睿
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| 刊名 | 原子能科学技术
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 44期号:10页码:1257-1261 |
| 关键词 | 总剂量辐照效应 退火效应 可靠性 |
| ISSN号 | 10006931 |
| 中文摘要 | 对国产工艺的部分耗尽SOIMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明:辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素;背栅对总剂量辐照更为敏感,但在背栅特性漂移未超出一定范围的情况下,依然是正栅氧化层质量决定了器件的抗辐照性能;界面态陷阱电荷的散射作用降低了器件的源漏饱和电流;总剂量辐照后器件的常规可靠性可能会降低。 |
| 英文摘要 | Total dose irradiation effect and reliability of domestic partially-depleted SOI MOSFET were studied. It is found that the oxide-trapped charge mainly causes the threshold voltage shift. The back gate is more sensitive to the total dose irradiation than the top gate, while it is still the top gate that determines the radiation performance of the device as the back gate shifts within a certain scope. The descendent of the saturated current results from the action of the interface-trap charge. It is also believed that the total dose irradiation will lower the device reliability. |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1746]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院研究生院；中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔江维,余学峰,刘刚,等. 国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性[J]. 原子能科学技术,2010,44(10):1257-1261. |
| APA | 崔江维.,余学峰.,刘刚.,李茂顺.,兰博.,...&陈睿.(2010).国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性.原子能科学技术,44(10),1257-1261. |
| MLA | 崔江维,et al."国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性".原子能科学技术 44.10(2010):1257-1261. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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