不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 兰博; 郭旗 ; 孙静; 崔江维; 李茂顺; 费武雄; 陈睿; 赵云
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| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2010 |
| 期号 | 7页码:543-546 |
| 关键词 | PMOSFETs 偏置 剂量率 时间相关效应 低剂量率损伤增强效应 |
| 中文摘要 | 对比研究了国内外五种不同型号的PMOSFETs,在不同剂量率、不同偏置条件下的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量率辐照等时的室温退火。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,所有器件阈值电压的漂移都更加明显;不同型号的器件在不同条件下,表现出了时间相关(TDE)和低剂量率损伤增强(ELDRS)两种不同的剂量率效应。因此,ELDRS效应在PMOSFETs器件中并不是普遍存在的。 |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1747]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 兰博,郭旗,孙静,等. 不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究[J]. 核技术,2010(7):543-546. |
| APA | 兰博.,郭旗.,孙静.,崔江维.,李茂顺.,...&赵云.(2010).不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究.核技术(7),543-546. |
| MLA | 兰博,et al."不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究".核技术 .7(2010):543-546. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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