CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李茂顺; 余学峰 ; 郭旗; 李豫东; 高博; 崔江维; 兰博; 陈睿; 费武雄; 赵云
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| 刊名 | 核电子学与探测技术
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 30期号:8页码:1087-1091,1097 |
| 关键词 | 静态随机存储器 总剂量辐射 退火 |
| ISSN号 | 0258-0934 |
| 其他题名 | research on the total dose irradiation and annealing effects of cmos sram |
| 中文摘要 | 对1 Mbits的静态随机存储器(SRAM)进行了总剂量辐照及退火试验,试验结果表明:静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大;静态功耗电流的退化与功能失效有密切相关性,非常适合作为辐射环境下器件功能失效的预警量;SRAM的读写出错数存在辐射剂量阈值,超过阈值时出错数便会指数增加;退火过程可以使器件参数恢复到初始值附近,其中高温退火对出错数的恢复作用更加明显。 |
| 公开日期 | 2012-11-29 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1758]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李茂顺,余学峰,郭旗,等. CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究[J]. 核电子学与探测技术,2010,30(8):1087-1091,1097. |
| APA | 李茂顺.,余学峰.,郭旗.,李豫东.,高博.,...&赵云.(2010).CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究.核电子学与探测技术,30(8),1087-1091,1097. |
| MLA | 李茂顺,et al."CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究".核电子学与探测技术 30.8(2010):1087-1091,1097. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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