化合物半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 山本 ▲ミツ▼夫; 山本 知生; 中野 純一; 都築 信頼 |
| 发表日期 | 1997-04-11 |
| 专利号 | JP2624588B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 p-InP単結晶基板上にレーザ素子用ダブルヘテロ構造を成長して、特性に優れた化合物半導体レーザを得る。 【構成】 活性層3とn-InPクラッド層4の間にn+-InP薄層41を設けることによって、p-InP単結晶基板1やp-InPバッファ層2からのZnが活性層中に拡散してしまっても化合物半導体レーザの特性を劣化させないことを特徴としている。 |
| 公开日期 | 1997-06-25 |
| 申请日期 | 1991-10-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47397]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 ▲ミツ▼夫,山本 知生,中野 純一,等. 化合物半導体レーザ. JP2624588B2. 1997-04-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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