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机构
西安光学精密机械研究... [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
1997 [1]
1996 [1]
1995 [1]
1993 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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化合物半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2624588B2, 申请日期: 1997-04-11, 公开日期: 1997-06-25
作者:
山本 ▲ミツ▼夫
;
山本 知生
;
中野 純一
;
都築 信頼
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化合物半導体単結晶エピタキシャル基板およびその成長方法
专利
OAI收割
专利号: JP2587150B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-03-05
作者:
山本 ▲ミツ▼夫
;
山本 知生
;
都築 信頼
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收藏
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埋め込み構造半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1995162091A, 申请日期: 1995-06-23, 公开日期: 1995-06-23
作者:
近藤 康洋
;
山本 ▲ミツ▼夫
;
中尾 正史
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收藏
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半導体ガイド層の突き合わせ接合方法
专利
OAI收割
专利号: JP1993259568A, 申请日期: 1993-10-08, 公开日期: 1993-10-08
作者:
東盛 裕一
;
山本 ▲ミツ▼夫
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收藏
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