埋め込み構造半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 康洋; 山本 ▲ミツ▼夫; 中尾 正史 |
| 发表日期 | 1995-06-23 |
| 专利号 | JP1995162091A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 埋め込み構造半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 p形半導体基板を用いた埋め込み構造半導体レーザを簡単な作製工程で作製する。 【構成】 p形(100)InP基板1上にこのInP基板1とのなす角が54度未満の側面を有する〈011〉方向のメサストライプ構造を形成した後、有機金属気相成長法によりp形InPバッファ層2を成長してリッジ構造を形成し、このInP基板1の全面に有機金属気相成長法によりSeを8×1018cm-3以上の範囲でドーピングしてn形半導体電流ブロック層3,p形半導体クラッド層4,活性層5,n形半導体クラッド層6およびp形半導体キャップ層7を順次堆積形成する。 |
| 公开日期 | 1995-06-23 |
| 申请日期 | 1993-12-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83236]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 康洋,山本 ▲ミツ▼夫,中尾 正史. 埋め込み構造半導体レーザの製造方法. JP1995162091A. 1995-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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