半導体ガイド層の突き合わせ接合方法
文献类型：专利
| 作者 | 東盛 裕一; 山本 ▲ミツ▼夫 |
| 发表日期 | 1993-10-08 |
| 专利号 | JP1993259568A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体ガイド層の突き合わせ接合方法 |
| 英文摘要 | 【目的】異なる組成や異なる層構造の半導体導波路同士の突き合わせ接合において、導波路層間の光学的軸を一致させその結合効率向上させることのできる突き合わせ接合方法を提供すること。 【構成】上記目的は、下記工程からなる接合方法とすることによって達成することができる。(1) 半導体基板上の第1の半導体導波路層上に形成した所定領域に設けた絶縁層をマスクとして上記第1の半導体導波路層を選択的にエッチングして半導体基板表面まで取り除き、上記第1の半導体導波路層がエッチングで生じた壁面から内側に入り込んだ形状を形成する工程、(2) 上記工程により得られた基板を硫化アンモニウムを含む (NH4)2SX水溶液中に所定時間浸漬する工程、(3) 次いで、上記第1の半導体導波路層とは異なるバンドギャップ波長あるいは異なる層厚を有する1層または複数層の半導体導波路層を上記第1の半導体導波路層と光学的に軸を一致させて気相エピタキシャル成長法により接合させる工程。 |
| 公开日期 | 1993-10-08 |
| 申请日期 | 1992-03-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85097]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東盛 裕一,山本 ▲ミツ▼夫. 半導体ガイド層の突き合わせ接合方法. JP1993259568A. 1993-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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