InP基板上的Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ多层结构
文献类型：专利
| 作者 | 孙晓光; 托马斯·J·米勒; 迈克尔·A·哈斯 |
| 发表日期 | 2007-05-16 |
| 专利号 | CN1965452A |
| 著作权人 | 3M创新有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | InP基板上的Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ多层结构 |
| 英文摘要 | 提供一种包括InP基板和II－VI及III－V材料交替层的多层结构。一般地，II－VI及III－V材料交替层与InP基板晶格匹配或者假同晶。一般地，II－VI材料选自ZnSe、CdSe、BeSe、MgSe、ZnTe、CdTe、BeTe、MgTe、ZnS、CdS、BeS、MgS和它们的合金，更一般地，选自CdZnSe、CdMgZnSe、BeZnTe和BeMgZnTe合金，最一般选自CdxZn1－xSe，其中x在0.44和0.54之间。一般地，III－V族材料选自InAs、AlAs、GaAs、InP、AlP、GaP、InSb、AlSb、GaSb和它们的合金，更一般地选自InP、InAlAs、GaInAs、AlInGaAs和GaInAsP合金，最一般地选自InP或InyAl1－yAs，其中y在0.44和0.52之间。在一个实施方案中，该多层结构形成一个或多个分布布喇格反射镜(DBR)。另一方面，本发明提供一种含有InP基板和分布布喇格反射镜(DBR)的多层结构，该分布布喇格反射镜具有95％或更高的反射率并至多包括15对外延半导体材料涂层。另一方面，本发明提供一种含有本发明所述多层结构的激光器。另一方面，本发明提供一种含有本发明所述多层结构的光电探测器。 |
| 公开日期 | 2007-05-16 |
| 申请日期 | 2005-04-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90120]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 3M创新有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙晓光,托马斯·J·米勒,迈克尔·A·哈斯. InP基板上的Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ多层结构. CN1965452A. 2007-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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