InP基板上的Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ层状构造
文献类型：专利
| 作者 | 孙晓光; 托马斯·J·米勒; 迈克尔·A·哈斯 |
| 发表日期 | 2009-01-07 |
| 专利号 | CN101341022A |
| 著作权人 | 3M创新有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | InP基板上的Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ层状构造 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种层状构造，所述层状构造包括InP基板以及II－VI和III－V材料的交替层。II－VI和III－V材料的所述交替层典型地与所述InP基板晶格匹配或假晶。典型地，所述II－VI材料选自CdZnSe、CdMgZnSe、BeZnTe、或BeMgZnTe合金，并且最典型地为CdxZn1－xSe，其中x介于0.55和0.57之间。典型地，所述III－V材料选自InAlAs或AlInGaAs合金，并且最典型地为InP或InyAl1－yAs，其中y介于0.53和0.57之间。所述层状构造可形成一个或多个分布的布拉格反射器(DBR)。在另一方面，本发明提供一种层状构造，所述层状构造包括InP基板以及具有95％或更大的反射率的分布的布拉格反射器(DBR)，所述反射器包括不超过15层的外延半导体材料对。在另一方面，本发明提供包括层状构造的激光器或光电探测器。 |
| 公开日期 | 2009-01-07 |
| 申请日期 | 2006-10-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90228]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 3M创新有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙晓光,托马斯·J·米勒,迈克尔·A·哈斯. InP基板上的Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ层状构造. CN101341022A. 2009-01-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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