体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 席善学; 陆妩 ; 郑齐文; 崔江维; 魏莹; 姚帅; 赵京昊; 郭旗
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| 刊名 | 电子学报
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| 出版日期 | 2019 |
| 卷号 | 47期号:5页码:1065-1069 |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| 关键词 | 总剂量效应 绝缘体上硅 体效应 浅沟槽隔离 |
| 英文摘要 | 研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon-on-insulator)器件总剂量效应的影响.在TG偏置下,辐照130nm PD(部分耗尽,partially depleted) SOI NMOSFET(N型金属-氧化物半导体场效应晶体管,n-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)器件,监测辐照前后在不同体偏压下器件的电学参数.短沟道器件受到总剂量辐照影响更敏感,且宽长比越大,辐射导致的器件损伤亦更大.在辐射一定剂量后,部分耗尽器件将转变为全耗尽器件,并且可以观察到辐射诱导的耦合效应.对于10μm/0.35μm的器件,辐照后出现了明显的阈值电压漂移和大的泄漏电流.辐照前体偏压为负时的转移特性曲线相比于体电压为零时发生了正向漂移.当体电压Vb=-1.1V时部分耗尽器件变为全耗尽器件,|Vb|的继续增加无法导致耗尽区宽度的继续增加,说明体区负偏压已经无法实现耗尽区宽度的调制,因此器件的转移特性曲线也没有出现类似辐照前的正向漂移. |
| CSCD记录号 | CSCD:6668527 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7242]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室 |
| 通讯作者 | 陆妩 |
| 作者单位 | 1.新疆电子信息材料与器件重点实验室 2.中国科学院新疆理化技术研究所 3.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 4.中国科学院大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 席善学,陆妩,郑齐文,等. 体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响[J]. 电子学报,2019,47(5):1065-1069. |
| APA | 席善学.,陆妩.,郑齐文.,崔江维.,魏莹.,...&郭旗.(2019).体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响.电子学报,47(5),1065-1069. |
| MLA | 席善学,et al."体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响".电子学报 47.5(2019):1065-1069. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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