总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑齐文; 余学峰 ; 崔江维; 郭旗; 任迪远; 丛忠超
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 62期号:11页码:378-384 |
| 关键词 | 静态随机存储器 功能失效 测试图形 数据保存错误 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 英文摘要 | 本文对静态随机存储器(SRAM)总剂量辐射引起的功能失效进行了六种不同测试图形下的测试.利用不同测试图形覆盖的出错模式不同,通过对比一定累积剂量下同一器件不同测试图形测试结果的差异,以及对失效存储单元单独进行测试,研究了总剂量辐照引起的SRAM器件功能失效模式.研究表明:器件的功能失效模式为数据保存错误(Data retention fault)且数据保存时间具有离散性,引起数据保存错误的SRAM功能模块为存储单元.通过对存储单元建立简化的等效电路图,分析了造成存储单元数据保存错误以及保存时间离散性的原因,并讨论了该失效模式对SRAM总剂量辐射功能测试方法的影响. |
| CSCD记录号 | CSCD:4852140 |
| 公开日期 | 2013-11-06 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2562]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 固体辐射物理研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑齐文,余学峰,崔江维,等. 总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究[J]. 物理学报,2013,62(11):378-384. |
| APA | 郑齐文,余学峰,崔江维,郭旗,任迪远,&丛忠超.(2013).总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究.物理学报,62(11),378-384. |
| MLA | 郑齐文,et al."总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究".物理学报 62.11(2013):378-384. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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