不同规模SRAM辐射损伤效应的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 卢健; 余学峰 ; 郑齐文; 崔江维; 胥佳灵
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| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 43期号:3页码:426-430 |
| 关键词 | 静态随机存储器 总剂量效应 阈值电压 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 英文摘要 | 通过对ETC公司的商用256kb和1Mb CMOS SRAM器件在不同偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射效应的研究,获得了SRAM器件电气参数和功能出错数随总剂量的响应关系。实验结果表明,功耗电流随累积剂量的增加变化明显,可以作为表征SRAM辐射损伤的敏感参数,但功能出错数与功耗电流的变化不同步,与功耗电流没有必然联系,原因是功能出错主要由栅氧阈值电压负漂引起,而功耗电流的增加主要由栅氧和场氧阈值电压负漂造成的漏电引起。 |
| CSCD记录号 | CSCD:4860603 |
| 公开日期 | 2013-11-06 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2565]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院研究生院；新疆大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢健,余学峰,郑齐文,等. 不同规模SRAM辐射损伤效应的研究[J]. 微电子学,2013,43(3):426-430. |
| APA | 卢健,余学峰,郑齐文,崔江维,&胥佳灵.(2013).不同规模SRAM辐射损伤效应的研究.微电子学,43(3),426-430. |
| MLA | 卢健,et al."不同规模SRAM辐射损伤效应的研究".微电子学 43.3(2013):426-430. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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