SWCNT场效应晶体管的介电泳装配与制造
文献类型：期刊论文
| 作者 | 田孝军 ; 王越超; 于海波; 董再励; 童兆宏
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| 刊名 | 科学通报
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 54期号:5页码:662-667 |
| 关键词 | 单壁碳纳米管 场效应晶体管 介电泳装配 场效应特性改善 |
| ISSN号 | 0023-074X |
| 其他题名 | Di-electrophoresis assembly and fabrication of SWCNT field-effect transistor |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 在基于单壁碳纳米管(SWCNT)的纳电子器件或系统制备过程中,SWCNT场效应晶体管(SWCNTFET)作为最基本的构成元件,如何进行其可控装配与制造成为了关键课题.为此,在利用十二烷基硫酸纳(SDS)辅助超声分散SWCNT及离心去除杂质的基础上,针对所设计制作的背栅式FET微电极芯片,采用介电泳驱动方法实现了SWCNT的可控均匀排布与装配.排布与装配实验表明,SWCNT在电极间隙处具有很好的均匀定向排布与装配效果,且沿电极宽度方向的排布密度与电泳持续时间、溶液浓度基本成正比.经过初步漂洗及干燥,再通过场效应特性改善处理,烧断金属性SWCNT并进一步去除残留的SDS,获得了良好的SWCNTFET场效应特性. |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:3603883 |
| 资助机构 | 国家高技术研究发展计划(编号:2006AA04Z320) ; 中国科学院王宽诚科研奖金资助项目 |
| 公开日期 | 2010-11-29 |
| 源URL | [http://210.72.131.170//handle/173321/2385]  |
| 专题 | 沈阳自动化研究所_机器人学研究室 |
| 通讯作者 | 田孝军 |
| 作者单位 | 机器人学国家重点实验室,中国科学院沈阳自动化研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田孝军,王越超,于海波,等. SWCNT场效应晶体管的介电泳装配与制造[J]. 科学通报,2009,54(5):662-667. |
| APA | 田孝军,王越超,于海波,董再励,&童兆宏.(2009).SWCNT场效应晶体管的介电泳装配与制造.科学通报,54(5),662-667. |
| MLA | 田孝军,et al."SWCNT场效应晶体管的介电泳装配与制造".科学通报 54.5(2009):662-667. |
入库方式： OAI收割
来源：沈阳自动化研究所
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