碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较
文献类型：期刊论文
| 作者 | 冯皓楠1,2,3; 杨圣1,2,3; 梁晓雯1,2,3; 张丹1,2,3; 蒲晓娟1,2,3; 孙静1,2; 魏莹1,2; 崔江维1,2; 李豫东1,2 ; 余学峰1,2
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| 刊名 | 原子能科学技术
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| 出版日期 | 2022 |
| 卷号 | 56期号:4页码:767-774 |
| 关键词 | 碳化硅 总剂量效应 静态参数 动态特性 耗尽层 |
| ISSN号 | 1000-6931 |
| 英文摘要 | 对总剂量辐射环境下不同偏置状态的碳化硅功率场效应管（SiC VDMOS）的动态特性进行了相关研究。在比较3种偏置状态下60Coγ射线辐照对于SiC VDMOS器件阈值电压和开关特性影响的基础上，进行了室温退火试验。结果表明，随60Coγ射线辐照剂量的增加，氧化层积累陷阱电荷，导致静态特性中阈值电压降低。同时器件动态特性中开启时间略微缩短，关断时间骤增，开关损耗增大。器件受辐照后耗尽层厚度和阈值电压发生的变化是其开启和关断响应差异性退化的主要原因。 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/8360]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室 固体辐射物理研究室 |
| 通讯作者 | 余学峰1,2 |
| 作者单位 | 1.中国科学院大学 2.中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室 3.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯皓楠1,2,3,杨圣1,2,3,梁晓雯1,2,3,等. 碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较[J]. 原子能科学技术,2022,56(4):767-774. |
| APA | 冯皓楠1,2,3.,杨圣1,2,3.,梁晓雯1,2,3.,张丹1,2,3.,蒲晓娟1,2,3.,...&郭旗1,2.(2022).碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较.原子能科学技术,56(4),767-774. |
| MLA | 冯皓楠1,2,3,et al."碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较".原子能科学技术 56.4(2022):767-774. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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