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新疆理化技术研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2022 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774
作者:
冯皓楠1,2,3
;
杨圣1,2,3
;
梁晓雯1,2,3
;
张丹1,2,3
;
蒲晓娟1,2,3
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提交时间:2022/05/06
碳化硅
总剂量效应
静态参数
动态特性
耗尽层