电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简
文献类型：期刊论文
| 作者 | 文林 ; 李豫东; 郭旗; 孙静; 任迪远; 崔江维; 汪波; 玛丽娅
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| 刊名 | 微电子学
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 45期号:4页码:537-540+544 |
| 关键词 | 深亚微米 NMOSFET 电子辐照 总剂量效应 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| 中文摘要 | 为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析了电子辐照导致NMOSFET阈值电压和饱和电流退化的情况,以及器件的辐射损伤敏感性。实验结果表明,电子辐照导致两种NMOSFET器件的参数退化情况以及辐射损伤敏感性类似。导致器件参数退化的主要原因是界面陷阱电荷,同时氧化物陷阱电荷表现出了一定的竞争关系。实验结果为研究CCD电子辐照导致的辐射效应提供了基础数据支持。 |
| 公开日期 | 2015-09-09 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4303]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 固体辐射物理研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 文林,李豫东,郭旗,等. 电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简[J]. 微电子学,2015,45(4):537-540+544. |
| APA | 文林.,李豫东.,郭旗.,孙静.,任迪远.,...&玛丽娅.(2015).电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简.微电子学,45(4),537-540+544. |
| MLA | 文林,et al."电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简".微电子学 45.4(2015):537-540+544. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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