机构

• 半导体研究所 [2]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 1999 [3]

学科主题

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    发表日期：1999     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The effects of carbonized buffer layer on the growth of sic on si 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 页码: 564-567 作者:  Wang, YS;  Li, JM;  Zhang, FF;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Si  Sic  Carbonization  Rheed  Single crystal epilayer   Si doping effect on self-organized inas/gaas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 603-607 作者:  Zhao, Q;  Feng, SL;  Ning, D;  Zhu, HJ;  Wang, ZM 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-organized quantum dots  Inas/gaas  Scanning probe microscopy  Doping effect   Auger electron spectroscopy and rutherford backscattering-channeling study of silicon nitride formation by low energy n-2(+) ion implantation 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 120-122 作者:  Chai, JW;  Yang, GH;  Pan, HC;  Cao, JQ;  Zhu, DZ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/04/23