机构

• 半导体研究所 [5]
• 中国科学院大学 [3]

采集方式

• iSwitch采集 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2009 [8]

学科主题

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    发表日期：2009     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Localized-surface-plasmon enhanced the 357 nm forward emission from znmgo films capped by pt nanoparticles 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 10, 页码: 1121-1125 作者:  You, J. B.;  Zhang, X. W.;  Dong, J. J.;  Song, X. M.;  Yin, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Znmgo films  Photoluminescence  Localized surface plasmon  Nanoparticles   The mechanism of peo process on al-si alloys with the bulk primary silicon 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 23, 页码: 9531-9538 作者:  Xu, Fangtao;  Xia, Yuan;  Li, Guang 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2019/05/10 Peo  Al-si alloys  Bulk primary silicon  Dentrite silicon   Energy band alignment of sio2/zno interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 4, 页码: 5 作者:  You, J. B.;  Zhang, X. W.;  Song, H. P.;  Ying, J.;  Guo, Y. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Singlet-singlet energy transfer through an amidinium-carboxylate salt bridge interface in naphthalene-benzophenone dyads 期刊论文  iSwitch采集 Acta chimica sinica, 2009, 卷号: 67, 期号: 13, 页码: 1481-1486 作者:  Han Lei;  Li Yingying;  Zeng Yi;  Chen Jinping;  Li Yi 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/10 Amidinium-carboxylate salt bridge  Energy transfer  Benzophenone  Naphthalene   Well-width dependence of in-plane optical anisotropy in (001) gaas/algaas quantum wells induced by in-plane uniaxial strain and interface asymmetry 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10, 页码: 6 作者:  Tang, C. G.;  Chen, Y. H.;  Xu, B.;  Ye, X. L.;  Wang, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Gallium arsenide  Iii-v semiconductors  Internal stresses  Reflectivity  Semiconductor heterojunctions  Semiconductor quantum wells   Annealing study of carrier concentration in gradient-doped gaas/gaalas epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720 作者:  Zhang, Yijun;  Chang, Benkang;  Yang, Zhi;  Niu, Jun;  Xiong, Yajuan 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Bipolar resistive switching properties of microcrystalline tio2 thin films deposited by pulsed laser deposition 期刊论文  iSwitch采集 Materials science and engineering b-advanced functional solid-state materials, 2009, 卷号: 157, 期号: 1-3, 页码: 36-39 作者:  Cao, Xun;  Li, Xiaomin;  Yu, Weidong;  Liu, Xinjun;  He, Xiliang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/10 Tio2 thin films  Pulsed laser deposition  Bipolar  Resistive switching   Linear rashba model of a hydrogenic donor impurity in gaas/gaalas quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 2, 页码: 178-180 作者:  Li, Shu-Shen;  Xia, Jian-Bai 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12