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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2008 [1]
学科主题
半导体器件 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
帮助
限定条件
存缴方式:oaiharvest
学科主题:半导体器件
内容类型:期刊论文
条数/页:
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Effect of p-GaN layer thickness on the performance of p-i-n structure GaN ultraviolet photodetectors
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 7, 页码: 4570-4574
Zhou, M
;
Zhao, DG
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提交时间:2010/03/08
GaN
Ultraviolet photodetector
quantum efficiency
dark current