机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]

学科主题

• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Theoretical gain of strained GeSn0.02/Ge1-x-y ' SixSny ' quantum well laser 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 2010, 卷号: 107, 107, 期号: 7, 页码: art. no. 073108, Art. No. 073108 作者:  Zhu YH (Zhu Yuan-Hui);  Xu Q (Xu Qiang);  Fan WJ (Fan Wei-Jun);  Wang JW (Wang Jian-Wei);  Zhu, YH, Nanyang Technol Univ, Sch EEE, 50 Nanyang Ave, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: ewjfan@ntu.edu.sg   |  收藏  |  浏览/下载：67/3  |  提交时间：2010/05/07 ALLOYS  Alloys  Ge  GE