机构

• 物理研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 1992 [3]

学科主题

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1992    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 LATTICE DISORDER IN SILICON INDUCED BY 2.0 MEV CU+ IRRADIATION 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 1992, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 332 WANG, KM; SHI, BR; LIU, XD; XU, TB; ZHU, PR; ZHU, JS; ZHAO, QT 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/18 ION-IMPLANTATION  SI   REDUCTION OF CRYSTALLINE DISORDER IN MOLECULAR-BEAM EPITAXY GAAS ON SI BY MEV ION-IMPLANTATION AND SUBSEQUENT ANNEALING 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1992, 卷号: 71, 期号: 10, 页码: 4843 XIAO, GM; YIN, SD; ZHANG, JP; DONG, AH; ZHU, PR; LIU, JR 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/24 QUALITY   DAMAGE PROFILES IN SILICON INDUCED BY 1.0 MEV TI IONS AT TILTED ANGLE INCIDENCE 期刊论文  OAI收割 PHYSICS LETTERS A, 1992, 卷号: 166, 期号: 5-6, 页码: 361 WANG, KM; SHI, BR; LIU, XD; XU, TB; ZHU, PR; ZHOU, JS; ZHAO, QT 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/17