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长春光学精密机械与... [12]
采集方式
OAI收割 [12]
内容类型
会议论文 [7]
期刊论文 [5]
发表日期
2001 [12]
学科主题
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浏览/检索结果:
共12条,第1-10条
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发表日期:2001
专题:长春光学精密机械与物理研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
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GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器
期刊论文
OAI收割
吉林工业大学自然科学学报, 2001, 期号: 04, 页码: 63-65
万春明
;
徐安怀
;
曲轶
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/03/11
半导体激光器
列阵
分子束外延
量子阱
MBE生长GaAlAs/GaAs量子阱激光器材料的光谱和结构特性研究
期刊论文
OAI收割
兵工学报, 2001, 期号: 03, 页码: 355-358
李梅
;
宋晓伟
;
王晓华
;
张宝顺
;
李学千
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/03/11
光致荧光
分子束外延
双晶衍射
液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究
期刊论文
OAI收割
兵工学报, 2001, 期号: 02, 页码: 214-217
杨进华
;
高欣
;
李忠辉
;
吴根柱
;
张兴德
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/03/11
液相外延
大功率
半导体激光器
用电光采样法研究GaAs集成电路中微带线的电场串扰问题
期刊论文
OAI收割
光电子技术与信息, 2001, 期号: 01, 页码: 23-26
张大明
;
李德辉
;
孙伟
;
陈开鑫
;
张洪波
;
衣茂斌
;
许武
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/03/11
电光采样
有限差分法
串扰
High-power AlGaAs/GaAs broad-area lasers grown by MBE
期刊论文
OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 206-209
Baoxue B.
;
Yi B.
;
Xin G.
;
Guotong D.
;
Dingsan G.
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/10/21
CdSe-ZnSe单量子阱激子复合的温度效应
会议论文
OAI收割
中国北京
作者:
申德振
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/03/19
单量子阱:5588
量子限制效应:3381
温度效应:3316
激子特性:3036
量子阱结构:2737
分子束外延:2580
光电子材料:2533
复合过程:2523
纳米结构:2366
半导体:2139
A study of high-power InGaAs/AlGaAs/GaAs 45 degrees folded cavity surface-emitting lasers
会议论文
OAI收割
2001
作者:
Li M.
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2013/03/28
Lasing characteristics of coupled InGaAs/GaAs multi-layers quantum dots laser
会议论文
OAI收割
2001
作者:
Gao X.
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/03/28
A study of photoluminesence and structure character on AIGaAs/GaAs quantum well laser material
会议论文
OAI收割
2001
作者:
Li M.
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/03/28
Farfield characteristics of InGaAs/GaAs quantum dots laser
会议论文
OAI收割
2001
作者:
Gao X.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/03/28