机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2003 [1]

学科主题

• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体物理    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si(111), 6H-SiC(0001), and c-plane sapphire 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 677-679 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：1038/2  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN-SCATTERING  ALPHA-GAN  ALN  LAYERS  STRAIN  WURTZITE  FILMS