机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2005 [1]

学科主题

• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2005    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation 期刊论文  OAI收割 high energy physics and nuclear physics-chinese edition, 2005, 卷号: 29, 期号: suppl.s, 页码: 37-39 Chen J; Wang JF; Zhang JC; Wang H; Huang Y; Wang YT; Yang H; Jia QJ 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)  epitaxy lateral overgrowth  stacking faults  synchrotron radiation X-ray diffraction (XRD)  pole figure  WURTZITE GAN  LUMINESCENCE