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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
会议论文 [1]
发表日期
2005 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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发表日期:2005
内容类型:会议论文
专题:半导体研究所
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Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects
会议论文
OAI收割
17th international conference on indium phosphide and related materials, glasgow, scotland, may 08-12, 2005
Zhao, YW
;
Dong, ZY
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浏览/下载:220/68
  |  
提交时间:2010/03/29
ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP
SEMICONDUCTOR COMPOUND-CRYSTALS
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
DEEP-LEVEL DEFECTS
ANNEALING AMBIENT
POINT-DEFECTS
FE
PHOSPHIDE
DONORS