机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2006 [3]

学科主题

• 半导体物理 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体物理    内容类型：期刊论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497 Wu DH; Niu ZC; Zhang SY; Ni HQ; He ZH; Sun Z; Han Q; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wells  nitrides  semiconducting III-V materials  IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  LASER-DIODES  TEMPERATURE  SURFACTANT  EMISSION  NITROGEN  ORIGIN   Stochastic resonance in single-mode semiconductor lasers 期刊论文  OAI收割 physica a-statistical mechanics and its applications, 2006, 卷号: 368, 期号: 1, 页码: 31-37 Wang J; Bai YM; Cao L; Wu DJ; Ma XY 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2010/04/11 stochastic resonance  carrier noise  photon noise  semiconductor lasers  linear approximation method  MODULATED BISTABLE SYSTEMS  RING LASER  NOISE  DRIVEN  GAIN   Influence of nitridation time on the morphology of GaN nanorods synthesized by nitriding Ga2O3/ZnO films 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 117-120 Gao HY (Gao Haiyong) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN nanorods  Ga2O3/ZnO films  RF magnetron sputtering  nitridation  OPTICAL-PROPERTIES  LASER-DIODES  ZNO  SUBSTRATE  NANOWIRES  LAYER