机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2006 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Interdot interaction induced zero-bias maximum of the differential conductance in parallel double quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.043705 Chi F; Li SS 收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2010/04/11 AHARONOV-BOHM INTERFEROMETER  SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR  COULOMB-BLOCKADE  ANDERSON MODEL  MAGNETIC-FLUX  KONDO REGIME  TRANSPORT  EQUILIBRIUM  DEVICES   Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文  OAI收割 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11 GAAS  SPECTROSCOPY  PARAMETERS  TRANSPORT  LASERS  ENERGY  STATES  HOLE