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机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2008 [3]
学科主题
半导体材料 [3]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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发表日期:2008
学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD
期刊论文
OAI收割
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Guo, LC
;
Li, JP
;
Liu, HX
;
Chen, YL
;
Yang, FH
;
Li, JM
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
Si (111)
The effects of substrate temperature on the structure and properties of ZnO films prepared by pulsed laser deposition
期刊论文
OAI收割
vacuum, 2008, 卷号: 82, 期号: 5, 页码: 495-500
Zhu, BL
;
Sun, XH
;
Zha, XZ
;
Su, FH
;
Li, GH
;
Wu, XG
;
Wu, J
;
Wu, R
;
Liu, J
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浏览/下载:46/1
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提交时间:2010/03/08
PLD
ZnO films
substrate temperature
crystal quality
grain size
optical properties
Fracture Properties of LPCVD Silicon Nitride and Thermally Grown Silicon Oxide Thin Films From the Load-Deflection of Long Si3N4 and SiO2/Si3N4 Diaphragms
期刊论文
OAI收割
journal of microelectromechanical systems, 2008, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1120-1134
Yang, JL
;
Gaspar, J
;
Paul, O
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提交时间:2010/03/08
Bulge test
fracture
pooled Weibull analysis
silicon nitride (Si3N4)
silicon oxide (SiO2)