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  • 2008 [1]
学科主题
  • 半导体材料 [1]
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AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD 会议论文  OAI收割
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Tang, J; Wang, XL; Xiao, HL; Ran, JX; Wang, CM; Wang, XY; Hu, GX; Li, JM
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