机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2008 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：66/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE   Effect of Nitridation on Morphology, Structural Properties and Stress of AIN Films 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 4364-4367 作者:  Wei HY;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：178/45  |  提交时间：2010/03/08 TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY  WURTZITE-TYPE CRYSTALS  VAPOR-PHASE EPITAXY  INTRINSIC STRESS  SAPPHIRE SURFACE  THIN-FILMS  GAN  GROWTH  DIFFRACTION  MECHANISM