机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2008 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Valence band offset of InN/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 24, 页码: art. no. 242107 Zhang BL; Sun GS; Guo Y; Zhang PF; Zhang RQ; Fan HB; Liu XL; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：231/42  |  提交时间：2010/03/08 conduction bands  III-V semiconductors  indium compounds  interface states  semiconductor heterojunctions  silicon compounds  valence bands  wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra   Magnetic coupling properties of mn-doped ZnO nanowires: First-principles calculations 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 7, 页码: art. no. 073903 Shi, H; Duan, Y 收藏  |  浏览/下载：44/2  |  提交时间：2010/03/08 HIGH CURIE-TEMPERATURE  SPINODAL-DECOMPOSITION  ROOM-TEMPERATURE  1ST PRINCIPLES  THIN-FILMS  SEMICONDUCTORS  FERROMAGNETISM  STABILIZATION  GROWTH  PHASE