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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2008 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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发表日期:2008
学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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第一作者单位
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Microstructure and Optical Properties of Nonpolar m-Plane GaN Films Grown on m-Plane Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy
期刊论文
OAI收割
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 part 1
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Yang, JK
;
Zeng, YP
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提交时间:2010/03/08
HVPE
GaN
sapphire
nonpolar
semipolar